SiO2 پتلی فلم تھرمل آکسائیڈ سلکان ویفر 4 انچ 6 انچ 8 انچ 12 انچ

آکسائڈائزڈ سلیکون ویفرز کی تیاری کے بنیادی عمل میں عام طور پر درج ذیل مراحل شامل ہوتے ہیں: مونو کرسٹل لائن سلکان کی نمو، ویفرز میں کاٹنا، پالش کرنا، صفائی کرنا اور آکسیڈیشن۔

مونو کرسٹل لائن سلکان کی نمو: سب سے پہلے، مونو کرسٹل لائن سلکان کو زیادہ درجہ حرارت پر Czochralski طریقہ یا Float-zone طریقہ کے ذریعے اگایا جاتا ہے۔یہ طریقہ اعلی پاکیزگی اور جالی کی سالمیت کے ساتھ سلکان سنگل کرسٹل کی تیاری کے قابل بناتا ہے۔

ڈائسنگ: اگایا ہوا مونوکرسٹل لائن سلکان عام طور پر بیلناکار شکل میں ہوتا ہے اور اسے ویفر سبسٹریٹ کے طور پر استعمال کرنے کے لیے باریک ویفرز میں کاٹنا پڑتا ہے۔کاٹنا عام طور پر ڈائمنڈ کٹر سے کیا جاتا ہے۔

پالش کرنا: کٹے ہوئے ویفر کی سطح ناہموار ہو سکتی ہے اور اسے ہموار سطح حاصل کرنے کے لیے کیمیائی مکینیکل پالش کی ضرورت ہوتی ہے۔

صفائی: پالش شدہ ویفر کو نجاست اور دھول کو دور کرنے کے لیے صاف کیا جاتا ہے۔

آکسائڈائزنگ: آخر میں، سلیکن ویفرز کو آکسیڈائزنگ ٹریٹمنٹ کے لیے ایک اعلی درجہ حرارت والی بھٹی میں ڈالا جاتا ہے تاکہ اس کی برقی خصوصیات اور مکینیکل طاقت کو بہتر بنانے کے لیے سلکان ڈائی آکسائیڈ کی حفاظتی تہہ بنائی جا سکے، نیز انٹیگریٹڈ سرکٹس میں ایک موصلی تہہ کے طور پر کام کیا جا سکے۔

آکسیڈائزڈ سلیکون ویفرز کے بنیادی استعمال میں مربوط سرکٹس کی تیاری، سولر سیلز کی تیاری اور دیگر الیکٹرانک آلات کی تیاری شامل ہیں۔سلکان آکسائیڈ ویفرز سیمی کنڈکٹر مواد کے میدان میں ان کی بہترین مکینیکل خصوصیات، جہتی اور کیمیائی استحکام، اعلی درجہ حرارت اور زیادہ دباؤ پر کام کرنے کی صلاحیت کے ساتھ ساتھ اچھی موصلیت اور نظری خصوصیات کی وجہ سے بڑے پیمانے پر استعمال ہوتے ہیں۔

اس کے فوائد میں ایک مکمل کرسٹل ڈھانچہ، خالص کیمیائی ساخت، عین مطابق طول و عرض، اچھی مکینیکل خصوصیات وغیرہ شامل ہیں۔ یہ خصوصیات سلکان آکسائیڈ ویفرز کو خاص طور پر اعلیٰ کارکردگی والے انٹیگریٹڈ سرکٹس اور دیگر مائیکرو الیکٹرانک آلات کی تیاری کے لیے موزوں بناتی ہیں۔