26 تاریخ کو، پاور کیوب سیمی نے جنوبی کوریا کے پہلے 2300V SiC (Silicon Carbide) MOSFET سیمی کنڈکٹر کی کامیاب ترقی کا اعلان کیا۔
موجودہ Si (Silicon) پر مبنی سیمی کنڈکٹرز کے مقابلے میں، SiC (Silicon Carbide) زیادہ وولٹیج کو برداشت کر سکتا ہے، اس لیے اسے اگلی نسل کا آلہ قرار دیا جاتا ہے جو پاور سیمی کنڈکٹرز کے مستقبل کی رہنمائی کرتا ہے۔یہ جدید ترین ٹیکنالوجی متعارف کرانے کے لیے درکار ایک اہم جز کے طور پر کام کرتا ہے، جیسے کہ الیکٹرک گاڑیوں کا پھیلاؤ اور مصنوعی ذہانت سے چلنے والے ڈیٹا سینٹرز کی توسیع۔
پاور کیوب سیمی ایک غیر حقیقی کمپنی ہے جو پاور سیمی کنڈکٹر ڈیوائسز کو تین اہم اقسام میں تیار کرتی ہے: SiC (Silicon Carbide)، Si (Silicon)، اور Ga2O3 (گیلیم آکسائیڈ)۔حال ہی میں، کمپنی نے اپنے سیمی کنڈکٹر ڈیزائن اور ٹیکنالوجی کے لیے پہچان حاصل کرتے ہوئے، چین میں ایک عالمی الیکٹرک وہیکل کمپنی کو اعلیٰ صلاحیت والے Schottky Barrier Diodes (SBDs) کا اطلاق اور فروخت کیا۔
2300V SiC MOSFET کی رہائی جنوبی کوریا میں اس طرح کے پہلے ترقیاتی کیس کے طور پر قابل ذکر ہے۔جرمنی میں مقیم ایک عالمی پاور سیمی کنڈکٹر کمپنی Infineon نے بھی مارچ میں اپنی 2000V پروڈکٹ کے اجراء کا اعلان کیا، لیکن 2300V پروڈکٹ لائن اپ کے بغیر۔
Infineon's 2000V CoolSiC MOSFET، TO-247PLUS-4-HCC پیکیج کا استعمال کرتے ہوئے، ڈیزائنرز کے درمیان بڑھتی ہوئی بجلی کی کثافت کی مانگ کو پورا کرتا ہے، سخت ہائی وولٹیج اور سوئچنگ فریکوئنسی کے حالات میں بھی سسٹم کی وشوسنییتا کو یقینی بناتا ہے۔
CoolSiC MOSFET ایک اعلی براہ راست کرنٹ لنک وولٹیج پیش کرتا ہے، کرنٹ میں اضافہ کیے بغیر بجلی میں اضافے کو قابل بناتا ہے۔یہ 2000V کے بریک ڈاؤن وولٹیج کے ساتھ مارکیٹ میں پہلا مجرد سلکان کاربائیڈ ڈیوائس ہے، جس میں TO-247PLUS-4-HCC پیکیج کا استعمال کرتے ہوئے 14mm کے کری پیج فاصلہ اور 5.4mm کی کلیئرنس ہے۔ان آلات میں کم سوئچنگ نقصانات ہیں اور یہ سولر سٹرنگ انورٹرز، انرجی سٹوریج سسٹم، اور الیکٹرک گاڑی کی چارجنگ جیسی ایپلی کیشنز کے لیے موزوں ہیں۔
CoolSiC MOSFET 2000V پروڈکٹ سیریز 1500V DC تک ہائی وولٹیج DC بس سسٹم کے لیے موزوں ہے۔1700V SiC MOSFET کے مقابلے میں، یہ ڈیوائس 1500V DC سسٹمز کے لیے کافی اوور وولٹیج مارجن فراہم کرتی ہے۔CoolSiC MOSFET 4.5V تھریشولڈ وولٹیج پیش کرتا ہے اور سخت تبدیلی کے لیے مضبوط باڈی ڈائیوڈز سے لیس آتا ہے۔.XT کنکشن ٹیکنالوجی کے ساتھ، یہ اجزاء بہترین تھرمل کارکردگی اور مضبوط نمی کے خلاف مزاحمت پیش کرتے ہیں۔
2000V CoolSiC MOSFET کے علاوہ، Infineon جلد ہی 2024 کی تیسری سہ ماہی اور 2024 کی آخری سہ ماہی میں بالترتیب TO-247PLUS 4-pin اور TO-247-2 پیکجوں میں پیک کیے گئے تکمیلی CoolSiC ڈایڈس لانچ کرے گا۔یہ ڈایڈس خاص طور پر شمسی توانائی کے استعمال کے لیے موزوں ہیں۔میچنگ گیٹ ڈرائیور پروڈکٹ کے امتزاج بھی دستیاب ہیں۔
CoolSiC MOSFET 2000V پروڈکٹ سیریز اب مارکیٹ میں دستیاب ہے۔مزید برآں، Infineon مناسب تشخیصی بورڈ پیش کرتا ہے: EVAL-COOLSIC-2KVHCC۔ڈویلپرز اس بورڈ کو 2000V پر درجہ بندی کیے گئے تمام CoolSiC MOSFETs اور diodes کے ساتھ ساتھ EiceDRIVER کمپیکٹ سنگل چینل آئسولیشن گیٹ ڈرائیور 1ED31xx پروڈکٹ سیریز کو دوہری پلس یا مسلسل PWM آپریشن کے ذریعے جانچنے کے لیے ایک عام ٹیسٹ پلیٹ فارم کے طور پر استعمال کر سکتے ہیں۔
پاور کیوب سیمی کے چیف ٹیکنالوجی آفیسر گنگ شن سو نے کہا، "ہم 1700V SiC MOSFETs کی ترقی اور بڑے پیمانے پر پیداوار میں اپنے موجودہ تجربے کو 2300V تک بڑھانے کے قابل تھے۔
پوسٹ ٹائم: اپریل 08-2024