4 انچ SiC Wafers 6H Semi-Insulating SiC سبسٹریٹس پرائم، ریسرچ، اور ڈمی گریڈ
مصنوعات کی تفصیلات
| گریڈ | زیرو MPD پروڈکشن گریڈ (Z گریڈ) | معیاری پیداواری گریڈ (P گریڈ) | ڈمی گریڈ (ڈی گریڈ) | ||||||||
| قطر | 99.5 ملی میٹر~100.0 ملی میٹر | ||||||||||
| 4H-SI | 500 μm±20 μm | 500 μm±25 μm | |||||||||
| ویفر اورینٹیشن |
آف محور: 4.0° کی طرف <1120 > ±0.5° 4H-N کے لیے، محور پر: <0001>±0.5° 4H-SI کے لیے | ||||||||||
| 4H-SI | ≤1 سینٹی میٹر-2 | ≤5 سینٹی میٹر-2 | ≤15 سینٹی میٹر-2 | ||||||||
| 4H-SI | ≥1E9 Ω· سینٹی میٹر | ≥1E5 Ω· سینٹی میٹر | |||||||||
| پرائمری فلیٹ اورینٹیشن | {10-10} ±5.0° | ||||||||||
| پرائمری فلیٹ کی لمبائی | 32.5 ملی میٹر±2.0 ملی میٹر | ||||||||||
| ثانوی فلیٹ کی لمبائی | 18.0 ملی میٹر±2.0 ملی میٹر | ||||||||||
| ثانوی فلیٹ واقفیت | سلکان کا چہرہ اوپر: 90° CW۔پرائم فلیٹ ±5.0° سے | ||||||||||
| کنارے کا اخراج | 3 ملی میٹر | ||||||||||
| LTV/TTV/بو/وارپ | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||||||||
| کھردرا پن | سی چہرہ | پولش | Ra≤1 nm | ||||||||
| سی چہرہ | سی ایم پی | Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||||||
| ہائی انٹینسٹی لائٹ کے ذریعے ایج کریکس | کوئی نہیں۔ | مجموعی لمبائی ≤ 10 ملی میٹر، سنگل لمبائی ≤2 ملی میٹر | |||||||||
| ہیکس پلیٹس بذریعہ ہائی انٹینسٹی لائٹ | مجموعی رقبہ ≤0.05% | مجموعی رقبہ ≤0.1% | |||||||||
| ہائی انٹینسٹی لائٹ کے ذریعے پولی ٹائپ ایریاز | کوئی نہیں۔ | مجموعی رقبہ≤3% | |||||||||
| بصری کاربن شمولیت | مجموعی رقبہ ≤0.05% | مجموعی رقبہ ≤3% | |||||||||
| ہائی انٹینسٹی لائٹ کے ذریعہ سلیکون کی سطح پر خروںچ | کوئی نہیں۔ | مجموعی لمبائی≤1＊وفر قطر | |||||||||
| ایج چپس ہائی بذریعہ شدت کی روشنی | کسی کی اجازت نہیں ہے ≥0.2 ملی میٹر چوڑائی اور گہرائی | 5 کی اجازت ہے، ≤1 ملی میٹر ہر ایک | |||||||||
| اعلی شدت کے ذریعہ سلیکون سطح کی آلودگی | کوئی نہیں۔ | ||||||||||
| پیکیجنگ | ملٹی ویفر کیسٹ یا سنگل ویفر کنٹینر | ||||||||||
تفصیلی خاکہ
اپنا پیغام یہاں لکھیں اور ہمیں بھیجیں۔
