6 انچ گان آن سیفائر

مختصر کوائف:

150mm 6inch GaN on Silicon/Sapphire/SiC Epi-layer wafer Gallium nitride epitaxial wafer

6 انچ کا سیفائر سبسٹریٹ ویفر ایک اعلیٰ معیار کا سیمی کنڈکٹر مواد ہے جس میں گیلیم نائٹرائڈ (GaN) کی تہوں پر مشتمل ہے جو نیلم کے سبسٹریٹ پر اگایا جاتا ہے۔مواد میں بہترین الیکٹرانک ٹرانسپورٹ خصوصیات ہیں اور یہ ہائی پاور اور ہائی فریکوئنسی سیمی کنڈکٹر ڈیوائسز بنانے کے لیے مثالی ہے۔

ہمیں ای میل بھیجیں۔

مصنوعات کی تفصیل

پروڈکٹ ٹیگز

150mm 6inch GaN on Silicon/Sapphire/SiC Epi-layer wafer Gallium nitride epitaxial wafer

مینوفیکچرنگ کا طریقہ: مینوفیکچرنگ کے عمل میں میٹل آرگینک کیمیکل ویپر ڈیپوزیشن (MOCVD) یا مالیکیولر بیم ایپیٹیکسی (MBE) جیسی جدید تکنیکوں کا استعمال کرتے ہوئے نیلم کے سبسٹریٹ پر GaN تہوں کو بڑھانا شامل ہے۔اعلی کرسٹل کوالٹی اور یکساں فلم کو یقینی بنانے کے لیے جمع کرنے کا عمل کنٹرول شدہ حالات میں کیا جاتا ہے۔

6 انچ GaN-on-Sapphire ایپلی کیشنز: 6 انچ کی سیفائر سبسٹریٹ چپس بڑے پیمانے پر مائکروویو کمیونیکیشن، ریڈار سسٹم، وائرلیس ٹیکنالوجی اور آپٹو الیکٹرانکس میں استعمال ہوتی ہیں۔

کچھ عام ایپلی کیشنز میں شامل ہیں۔

1. آر ایف پاور یمپلیفائر

2. ایل ای ڈی روشنی کی صنعت

3. وائرلیس نیٹ ورک مواصلات کا سامان

4. اعلی درجہ حرارت کے ماحول میں الیکٹرانک آلات

5. آپٹو الیکٹرانک آلات

مصنوعات کی وضاحتیں

- سائز: سبسٹریٹ کا قطر 6 انچ (تقریبا 150 ملی میٹر) ہے۔

- سطح کا معیار: بہترین آئینے کا معیار فراہم کرنے کے لیے سطح کو باریک پالش کیا گیا ہے۔

- موٹائی: GaN پرت کی موٹائی کو مخصوص ضروریات کے مطابق اپنی مرضی کے مطابق کیا جا سکتا ہے۔

- پیکجنگ: نقل و حمل کے دوران نقصان کو روکنے کے لیے سبسٹریٹ کو اینٹی سٹیٹک مواد سے احتیاط سے پیک کیا جاتا ہے۔

- پوزیشننگ کناروں: سبسٹریٹ میں مخصوص پوزیشننگ کنارے ہوتے ہیں جو آلے کی تیاری کے دوران سیدھ اور آپریشن کی سہولت فراہم کرتے ہیں۔

- دیگر پیرامیٹرز: مخصوص پیرامیٹرز جیسے پتلا پن، مزاحمت اور ڈوپنگ ارتکاز کو کسٹمر کی ضروریات کے مطابق ایڈجسٹ کیا جا سکتا ہے۔

اپنی اعلیٰ مادی خصوصیات اور متنوع ایپلی کیشنز کے ساتھ، 6 انچ کے سیفائر سبسٹریٹ ویفرز مختلف صنعتوں میں اعلیٰ کارکردگی والے سیمی کنڈکٹر آلات کی ترقی کے لیے ایک قابل اعتماد انتخاب ہیں۔

سبسٹریٹ	6” 1mm <111> p-type Si	6” 1mm <111> p-type Si
Epi ThickAvg	~5um	~7um
Epi ThickUnif	<2%	<2%
رکوع	+/-45um	+/-45um
کریکنگ	<5 ملی میٹر	<5 ملی میٹر
عمودی BV	>1000V	>1400V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT ThickAvg	20-30nm	20-30nm
انسٹیٹو سی این کیپ	5-60nm	5-60nm
2DEG conc	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
نقل و حرکت	~ 2000 سینٹی میٹر²/بمقابلہ (<2%)	~ 2000 سینٹی میٹر²/بمقابلہ (<2%)
Rsh	<330ohm/sq (<2%)	<330ohm/sq (<2%)