2 انچ 50.8 ملی میٹر سیفائر ویفر سی-پلین ایم-پلین R-پلین اے-پلین موٹائی 350um 430um 500um

C(0001)-محور

R(1-102)-محور

M(10-10) -محور

A(11-20)-محور

C محور میں کرسٹل روشنی ہے، اور دوسرے محور میں منفی روشنی ہے۔طیارہ سی فلیٹ ہے، ترجیحی طور پر کاٹا جاتا ہے۔

آر طیارہ A سے تھوڑا سخت ہے۔

C-oriented sapphire substrates کو III-V اور II-VI جمع شدہ فلموں کو اگانے کے لیے استعمال کیا جاتا ہے، جیسے کہ گیلیم نائٹرائڈ، جو بلیو ایل ای ڈی مصنوعات، لیزر ڈائیوڈز، اور انفراریڈ ڈیٹیکٹر ایپلی کیشنز تیار کر سکتی ہے۔
اس کی بنیادی وجہ یہ ہے کہ سی-محور کے ساتھ نیلم کرسٹل کی نشوونما کا عمل پختہ ہے، لاگت نسبتاً کم ہے، طبعی اور کیمیائی خصوصیات مستحکم ہیں، اور سی-ہوائی جہاز پر ایپیٹیکسی کی ٹیکنالوجی بالغ اور مستحکم ہے۔

مائیکرو الیکٹرانکس انٹیگریٹڈ سرکٹس میں استعمال ہونے والے مختلف جمع شدہ سلیکون ایکسٹرا سیسٹلز کی آر پر مبنی سبسٹریٹ نمو۔
اس کے علاوہ، تیز رفتار انٹیگریٹڈ سرکٹس اور پریشر سینسر بھی ایپیٹیکسیل سلکان گروتھ کی فلم پروڈکشن کے عمل میں بنائے جا سکتے ہیں۔R قسم کا سبسٹریٹ سیسہ، دیگر سپر کنڈکٹنگ اجزاء، ہائی ریزسٹنس ریزسٹرس، گیلیم آرسنائیڈ کی تیاری میں بھی استعمال کیا جا سکتا ہے۔

جائیداد کا اعلان