SiC sapphire Si GAAs Wafer کے لیے سلکان کاربائیڈ سیرامک چک
تفصیلی خاکہ
سلکان کاربائیڈ (SiC) سرامک چک کا جائزہ
دیسلیکن کاربائیڈ سیرامک چکسیمی کنڈکٹر معائنہ، ویفر فیبریکیشن، اور بانڈنگ ایپلی کیشنز کے لیے انجنیئر کردہ ایک اعلی کارکردگی والا پلیٹ فارم ہے۔ اعلی درجے کی سیرامک مواد کے ساتھ بنایا گیا — بشمولsintered SiC (SSiC), ردعمل سے منسلک SiC (RSiC), سلکان نائٹرائڈ، اورایلومینیم نائٹرائڈ- یہ پیش کرتا ہے۔اعلی سختی، کم تھرمل توسیع، بہترین لباس مزاحمت، اور طویل سروس کی زندگی.
عین مطابق انجینئرنگ اور جدید ترین پالش کے ساتھ، چک ڈیلیور کرتا ہے۔ذیلی مائکرون چپٹا پن، آئینے کے معیار کی سطحیں، اور طویل مدتی جہتی استحکامیہ اہم سیمی کنڈکٹر عمل کے لیے مثالی حل بناتا ہے۔
کلیدی فوائد
-
اعلی صحت سے متعلق
چپٹا پن اندر ہی اندر کنٹرول کیا جاتا ہے۔0.3–0.5 μm, ویفر کے استحکام اور مسلسل عمل کی درستگی کو یقینی بنانا۔ -
آئینہ پالش کرنا
حاصل کرتا ہے۔Ra 0.02 μmسطح کا کھردرا پن، ویفر کے خراشوں اور آلودگی کو کم کرنا— انتہائی صاف ماحول کے لیے بہترین۔ -
الٹرا ہلکا پھلکا
کوارٹج یا دھاتی سبسٹریٹس سے زیادہ مضبوط لیکن ہلکا، موشن کنٹرول، ردعمل، اور پوزیشننگ کی درستگی کو بہتر بناتا ہے۔ -
اعلی سختی
غیر معمولی ینگ کا ماڈیولس بھاری بوجھ اور تیز رفتار آپریشن کے تحت جہتی استحکام کو یقینی بناتا ہے۔ -
کم تھرمل توسیع
CTE سلکان ویفرز سے قریب سے میل کھاتا ہے، تھرمل تناؤ کو کم کرتا ہے اور عمل کی بھروسے کو بڑھاتا ہے۔ -
بقایا پہن مزاحمت
انتہائی سختی طویل مدتی، اعلی تعدد کے استعمال کے باوجود چپٹی اور درستگی کو محفوظ رکھتی ہے۔
مینوفیکچرنگ کا عمل
-
خام مال کی تیاری
کنٹرول شدہ پارٹیکل سائز اور انتہائی کم نجاست کے ساتھ اعلی پاکیزگی والے SiC پاؤڈر۔ -
تشکیل اور سنٹرنگ
تکنیک جیسےپریشر لیس سینٹرنگ (SSiC) or ری ایکشن بانڈنگ (RSiC)گھنے، یکساں سیرامک سبسٹریٹس تیار کریں۔ -
صحت سے متعلق مشینی
سی این سی پیسنے، لیزر ٹرمنگ، اور انتہائی درستگی والی مشین ±0.01 ملی میٹر رواداری اور ≤3 μm متوازی حاصل کرتی ہے۔ -
سطح کا علاج
Ra 0.02 μm تک ملٹی اسٹیج پیسنا اور پالش کرنا۔ سنکنرن مزاحمت یا اپنی مرضی کے مطابق رگڑ خصوصیات کے لئے دستیاب اختیاری ملعمع کاری۔ -
معائنہ اور کوالٹی کنٹرول
انٹرفیرو میٹر اور کھردری جانچنے والے سیمی کنڈکٹر گریڈ کی وضاحتوں کے ساتھ تعمیل کی تصدیق کرتے ہیں۔
تکنیکی وضاحتیں
| پیرامیٹر | قدر | یونٹ |
|---|---|---|
| چپٹا پن | ≤0.5 | μm |
| ویفر کے سائز | 6''، 8''، 12'' (اپنی مرضی کے مطابق دستیاب) | - |
| سطح کی قسم | پن کی قسم / انگوٹی کی قسم | - |
| پن کی اونچائی | 0.05–0.2 | mm |
| کم از کم پن قطر | ϕ0.2 | mm |
| کم از کم پن وقفہ کاری | 3 | mm |
| کم از کم مہر کی انگوٹی کی چوڑائی | 0.7 | mm |
| سطح کا کھردرا پن | را 0.02 | μm |
| موٹائی رواداری | ±0.01 | mm |
| قطر رواداری | ±0.01 | mm |
| متوازی رواداری | ≤3 | μm |
مین ایپلی کیشنز
-
سیمی کنڈکٹر ویفر معائنہ کا سامان
-
ویفر فیبریکیشن اور ٹرانسفر سسٹم
-
ویفر بانڈنگ اور پیکیجنگ ٹولز
-
اعلی درجے کی آپٹو الیکٹرانک ڈیوائس مینوفیکچرنگ
-
صحت سے متعلق آلات جن کو الٹرا فلیٹ، انتہائی صاف سطحوں کی ضرورت ہوتی ہے۔
سوال و جواب - سلکان کاربائیڈ سیرامک چک
Q1: SiC سیرامک چکس کا کوارٹج یا دھاتی چک کے ساتھ موازنہ کیسے کیا جاتا ہے؟
A1: SiC چک ہلکے، سخت ہوتے ہیں، اور سیلیکون ویفرز کے قریب سی ٹی ای رکھتے ہیں، جس سے تھرمل ڈیفارمیشن کم ہوتی ہے۔ وہ اعلی لباس مزاحمت اور طویل زندگی بھی پیش کرتے ہیں۔
Q2: کیا ہمواری حاصل کی جا سکتی ہے؟
A2: اندر اندر کنٹرول0.3–0.5 μm، سیمی کنڈکٹر کی پیداوار کے سخت مطالبات کو پورا کرنا۔
Q3: کیا سطح ویفرز کو کھرچ دے گی؟
A3: نہیں—آئینے سے پالشRa 0.02 μm، سکریچ فری ہینڈلنگ اور کم ذرہ پیدا کرنے کو یقینی بنانا۔
Q4: کون سے ویفر سائز کی حمایت کی جاتی ہے؟
A4: کے معیاری سائز6''، 8''، اور 12''، حسب ضرورت دستیاب ہے۔
Q5: تھرمل مزاحمت کیسے ہے؟
A5: SiC سیرامکس تھرمل سائیکلنگ کے تحت کم سے کم اخترتی کے ساتھ اعلی درجہ حرارت کی بہترین کارکردگی فراہم کرتے ہیں۔
ہمارے بارے میں
XKH خصوصی آپٹیکل شیشے اور نئے کرسٹل مواد کی ہائی ٹیک ترقی، پیداوار، اور فروخت میں مہارت رکھتا ہے۔ ہماری مصنوعات آپٹیکل الیکٹرانکس، کنزیومر الیکٹرانکس اور ملٹری کی خدمت کرتی ہیں۔ ہم سفائر آپٹیکل پرزے، موبائل فون لینس کور، سیرامکس، ایل ٹی، سیلیکون کاربائیڈ ایس آئی سی، کوارٹز، اور سیمی کنڈکٹر کرسٹل ویفرز پیش کرتے ہیں۔ ہنر مند مہارت اور جدید آلات کے ساتھ، ہم غیر معیاری مصنوعات کی پروسیسنگ میں سبقت لے جاتے ہیں، جس کا مقصد ایک اہم آپٹو الیکٹرانک میٹریل ہائی ٹیک انٹرپرائز بننا ہے۔
