ٹائٹینیم ڈوپڈ سیفائر کرسٹل لیزر سلاخوں کی سطح کی پروسیسنگ کا طریقہ

ٹائٹینیم قیمتی پتھر کے کرسٹل Ti:Al2O3 (ڈوپنگ ارتکاز 0.35 wt% Ti2O3)، جن کے کرسٹل خالی جگہیں موجودہ ایجاد کے ٹائٹینیم قیمتی پتھر کے کرسٹل لیزر راڈ کے سطحی عمل کے طریقہ کار کے عمل کے بہاؤ کے خاکے کے مطابق ہیں تصویر 1 میں دکھائے گئے ہیں۔ موجودہ ایجاد کے ٹائٹینیم قیمتی پتھر کے کرسٹل لیزر راڈ کی سطحی پروسیسنگ کے طریقہ کار کے مخصوص تیاری کے مراحل حسب ذیل ہیں:

<1> اورینٹیشن کٹنگ: ٹائٹینیم قیمتی پتھر کے کرسٹل کو پہلے اورینٹیٹ کیا جاتا ہے، اور پھر مکمل لیزر راڈ کے سائز کے مطابق تقریباً 0.4 سے 0.6 ملی میٹر کا پروسیسنگ الاؤنس چھوڑ کر ٹیٹراگونل کالم کے سائز کے خالی حصے میں کاٹ دیا جاتا ہے۔

2 ±0.01 ملی میٹر۔

<3> اینڈ فیس پروسیسنگ: ٹائٹینیم جیم اسٹون لیزر بار ٹو اینڈ فیس پروسیسنگ کے ساتھ اسٹیل ڈسک پر W40، W20، W10 بوران کاربائیڈ گرائنڈنگ اینڈ فیس کے ساتھ لگاتار۔ پیسنے کے عمل میں، آخری چہرے کی عمودی پیمائش پر توجہ دی جانی چاہئے۔

<4> کیمیکل مکینیکل پالش: کیمیکل مکینیکل پالش پولشنگ پیڈ پر پہلے سے تیار کردہ کیمیائی اینچنگ سلوشن کے قطروں کے ساتھ کرسٹل کو پالش کرنے کا عمل ہے۔ متعلقہ حرکت اور رگڑ کے لئے پالش کرنے والی ورک پیس اور پالش پیڈ، جبکہ تحقیقی گارا میں کیمیکل اینچنگ ایجنٹ (جسے پالش کرنے والا مائع کہا جاتا ہے) کی مدد سے پالش مکمل کریں۔

<5> ایسڈ اینچنگ: ٹائٹینیم قیمتی پتھر کی سلاخوں کو پالش کرنے کے بعد جیسا کہ اوپر بیان کیا گیا ہے H2SO4:H3PO4 = 3:1 (v/v) کے مرکب میں ڈالا جاتا ہے، 100-400°C کے درجہ حرارت پر، اور 5 کے لیے تیزاب سے کندہ کیا جاتا ہے۔ -30 منٹ۔ اس کا مقصد مکینیکل ذیلی سطح کے نقصان سے پیدا ہونے والی لیزر بار کی سطح پر چمکانے کے عمل کو ہٹانا ہے، اور مختلف قسم کے داغوں کو ہٹانا ہے، تاکہ صاف سطح کی ہموار اور چپٹی، جالی کی سالمیت کی جوہری سطح حاصل کی جا سکے۔ .

<6> سطح کی گرمی کا علاج: پچھلے عمل کی وجہ سے پیدا ہونے والے سطح کے دباؤ اور خروںچ کو مزید ختم کرنے اور جوہری سطح پر چپٹی ہوئی سطح حاصل کرنے کے لیے، ٹائٹینیم قیمتی پتھر کی چھڑی کو تیزاب سے کھینچنے کے بعد 5 منٹ تک ڈیونائزڈ پانی سے دھویا گیا، اور ٹائٹینیم قیمتی پتھر کی چھڑی کو ہائیڈروجن ماحول میں 1 سے 3 گھنٹے کے مستقل درجہ حرارت پر 1360 ± 20 ° C کے ماحول میں رکھا گیا تھا، اور سطح حرارت کے علاج کا نشانہ بنایا گیا تھا۔