SiC سبسٹریٹ P اور D گریڈ Dia50mm 4H-N 2 انچ

2inch SiC mosfet wafers کی اہم خصوصیات مندرجہ ذیل ہیں۔

اعلی تھرمل چالکتا: موثر تھرمل مینجمنٹ کو یقینی بناتا ہے، آلہ کی وشوسنییتا اور کارکردگی کو بڑھاتا ہے

ہائی الیکٹران موبلٹی: تیز رفتار الیکٹرانک سوئچنگ کو قابل بناتا ہے، جو ہائی فریکوئنسی ایپلی کیشنز کے لیے موزوں ہے

کیمیائی استحکام: انتہائی حالات میں آلہ کی عمر کے دوران کارکردگی کو برقرار رکھتا ہے۔

مطابقت: موجودہ سیمی کنڈکٹر انضمام اور بڑے پیمانے پر پیداوار کے ساتھ ہم آہنگ

2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch SiC mosfet wafers کو درج ذیل شعبوں میں بڑے پیمانے پر استعمال کیا جاتا ہے: الیکٹرک گاڑیوں کے پاور ماڈیولز، مستحکم اور موثر توانائی کے نظام کی فراہمی، inverters foe reneable energy systems, optimizing energy management and تبادلوں کی کارکردگی،

سیٹیلائٹ اور ایرو اسپیس الیکٹرانکس کے لیے SiC ویفر اور ایپی لیئر ویفر، قابل اعتماد اعلی تعدد مواصلات کو یقینی بناتا ہے۔

اعلی کارکردگی والے لیزرز اور ایل ای ڈی کے لیے آپٹو الیکٹرانک ایپلی کیشنز، جدید لائٹنگ اور ڈسپلے ٹیکنالوجیز کے تقاضوں کو پورا کرتی ہیں۔

ہمارے SiC wafers SiC سبسٹریٹس پاور الیکٹرانکس اور RF آلات کے لیے مثالی انتخاب ہیں، خاص طور پر جہاں اعلی وشوسنییتا اور غیر معمولی کارکردگی کی ضرورت ہوتی ہے۔ ویفرز کے ہر بیچ کو سخت جانچ سے گزرنا پڑتا ہے تاکہ یہ یقینی بنایا جا سکے کہ وہ اعلیٰ ترین معیار پر پورا اترتے ہیں۔

ہمارے 2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch 4H-N قسم D-گریڈ اور P-گریڈ SiC ویفرز اعلی کارکردگی والے سیمی کنڈکٹر ایپلی کیشنز کے لیے بہترین انتخاب ہیں۔ غیر معمولی کرسٹل کوالٹی، سخت کوالٹی کنٹرول، حسب ضرورت خدمات، اور ایپلی کیشنز کی ایک وسیع رینج کے ساتھ، ہم آپ کی ضروریات کے مطابق حسب ضرورت ترتیب بھی دے سکتے ہیں۔ پوچھ گچھ کا استقبال ہے!