LiNbO₃ Wafers 2inch-8inch موٹائی 0.1 ~ 0.5mm TTV 3µm حسب ضرورت

مختصر تفصیل:

LiNbO₃ ویفرز مربوط فوٹوونکس اور درست صوتیات میں سونے کے معیار کی نمائندگی کرتے ہیں، جو جدید آپٹو الیکٹرانک سسٹمز میں بے مثال کارکردگی پیش کرتے ہیں۔ ایک سرکردہ کارخانہ دار کے طور پر، ہم نے 50/cm² سے کم عیب کی کثافت کے ساتھ صنعت کی معروف کرسٹل لائن پرفیکشن کو حاصل کرتے ہوئے، جدید بخارات کی نقل و حمل کے توازن کی تکنیکوں کے ذریعے ان انجینئرڈ سبسٹریٹس کو تیار کرنے کے فن کو مکمل کیا ہے۔

XKH کی پیداواری صلاحیتوں کا قطر 75mm سے 150mm تک ہے، عین مطابق واقفیت کنٹرول (X/Y/Z-cut ±0.3°) اور خصوصی ڈوپنگ آپشنز بشمول نادر زمینی عناصر۔ LiNbO₃ Wafers میں خصوصیات کا انوکھا امتزاج – بشمول ان کا قابل ذکر r₃₃ گتانک (32±2 pm/V) اور قریب UV سے وسط IR تک وسیع شفافیت – انہیں اگلی نسل کے فوٹوونک سرکٹس اور اعلی تعدد صوتی آلات کے لیے ناگزیر بناتا ہے۔

ہمیں ای میل بھیجیں۔

خصوصیات

تکنیکی پیرامیٹرز

مواد	آپٹیکل گریڈ LiNbO3 wafes
کیوری ٹیمپ	1142±2.0℃
کاٹنے کا زاویہ	X/Y/Z وغیرہ
قطر/سائز	2"/3"/4"/6"/8"
ٹول(±)	<0.20 ملی میٹر
موٹائی	0.1 ~ 0.5 ملی میٹر یا اس سے زیادہ
پرائمری فلیٹ	16 ملی میٹر/22 ملی میٹر/32 ملی میٹر
ٹی ٹی وی	<3µm
رکوع	-30
وارپ	<40µm
اورینٹیشن فلیٹ	تمام دستیاب
سطح کی قسم	سنگل سائیڈ پالش/ڈبل سائیڈ پالش
پالش سائیڈ را	<0.5nm
S/D	20/10
کنارے کا معیار	R=0.2mm یا Bullnose
آپٹیکل ڈوپڈ	آپٹیکل گریڈ LN< ویفرز کے لیے Fe/Zn/MgO وغیرہ
ویفر سطح کا معیار	ریفریکٹیو انڈیکس	No=2.2878/Ne=2.2033 @632nm طول موج
	آلودگی،	کوئی نہیں۔
	ذرات ￠>0.3 µm	<= 30
	سکریچ، چِپنگ	کوئی نہیں۔
	عیب	کوئی کنارے کی دراڑیں، خروںچ، آری کے نشانات، داغ نہیں۔
پیکجنگ	مقدار/وفر باکس	25 پی سیز فی باکس

ہمارے LiNbO₃ Wafers کی بنیادی خصوصیات

1.فوٹونک کارکردگی کی خصوصیات

ہمارے LiNbO₃ Wafers غیر معمولی روشنی کے مادے کے تعامل کی صلاحیتوں کی نمائش کرتے ہیں، جس میں نان لائنر آپٹیکل کوفیشینٹس 42 pm/V تک پہنچتے ہیں - کوانٹم فوٹوونکس کے لیے موثر طول موج کی تبدیلی کے عمل کو قابل بناتے ہیں۔ ذیلی ذخائر 320-5200nm میں >72% ٹرانسمیشن کو برقرار رکھتے ہیں، خاص طور پر انجینئرڈ ورژنز ٹیلی کام طول موج پر <0.2dB/cm پھیلاؤ کے نقصان کو حاصل کرتے ہیں۔

2. ایکوسٹک ویو انجینئرنگ

ہمارے LiNbO₃ Wafers کی کرسٹل لائن ساخت 3800 m/s سے زیادہ سطح کی لہر کی رفتار کو سپورٹ کرتی ہے، 12GHz تک ریزونیٹر آپریشن کی اجازت دیتی ہے۔ ہماری ملکیتی پالش کرنے کی تکنیک ±15ppm/°C کے اندر درجہ حرارت کے استحکام کو برقرار رکھتے ہوئے، 1.2dB سے کم اندراج کے نقصانات کے ساتھ سطحی صوتی لہر (SAW) آلات حاصل کرتی ہے۔

3. ماحولیاتی لچک

انتہائی حالات کا مقابلہ کرنے کے لیے انجینئرڈ، ہمارے LiNbO₃ Wafers کرائیوجینک درجہ حرارت سے 500°C آپریشنل ماحول تک فعالیت کو برقرار رکھتے ہیں۔ مواد غیر معمولی تابکاری کی سختی کو ظاہر کرتا ہے، کارکردگی میں نمایاں کمی کے بغیر> 1Mrad کل آئنائزنگ خوراک کو برداشت کرتا ہے۔

4. درخواست کے لیے مخصوص کنفیگریشنز

ہم ڈومین انجینئرڈ مختلف قسمیں پیش کرتے ہیں بشمول:
5-50μm ڈومین پیریڈز کے ساتھ وقفے وقفے سے پولڈ ڈھانچے
ہائبرڈ انضمام کے لئے آئن سلائسڈ پتلی فلمیں۔
خصوصی ایپلی کیشنز کے لیے میٹی میٹریل سے بہتر ورژن

LiNbO₃ Wafers کے لیے نفاذ کے منظرنامے۔

1. نیکسٹ-جنرل آپٹیکل نیٹ ورکس
LiNbO₃ Wafers ٹیرابیٹ پیمانے پر آپٹیکل ٹرانسسیور کے لیے ریڑھ کی ہڈی کے طور پر کام کرتے ہیں، جو کہ جدید نیسٹڈ ماڈیولیٹر ڈیزائنز کے ذریعے 800Gbps مربوط ٹرانسمیشن کو فعال کرتے ہیں۔ AI/ML ایکسلریٹر سسٹمز میں شریک پیکڈ آپٹکس کے نفاذ کے لیے ہمارے ذیلی ذخائر تیزی سے اپنائے جا رہے ہیں۔
2.6G RF فرنٹنڈز
LiNbO₃ Wafers کی تازہ ترین نسل 20GHz تک الٹرا وائیڈ بینڈ فلٹرنگ کی حمایت کرتی ہے، ابھرتے ہوئے 6G معیارات کی سپیکٹرم کی ضروریات کو پورا کرتی ہے۔ ہمارا مواد 2000 سے زیادہ Q عوامل کے ساتھ نوول ایکوسٹک ریزونیٹر آرکیٹیکچرز کو قابل بناتا ہے۔
3. کوانٹم انفارمیشن سسٹمز
Precision-poled LiNbO₃ ویفرز>90% جوڑی پیدا کرنے کی کارکردگی کے ساتھ الجھے ہوئے فوٹوون ذرائع کی بنیاد بناتے ہیں۔ ہمارے سبسٹریٹس فوٹوونک کوانٹم کمپیوٹنگ اور محفوظ کمیونیکیشن نیٹ ورکس میں کامیابیاں حاصل کر رہے ہیں۔
4. ایڈوانسڈ سینسنگ سلوشنز
1550nm پر چلنے والے آٹوموٹو LiDAR سے لے کر انتہائی حساس گریوی میٹرک سینسرز تک، LiNbO₃ Wafers اہم ٹرانزیکشن پلیٹ فارم فراہم کرتے ہیں۔ ہمارا مواد سینسر ریزولوشنز کو سنگل مالیکیول ڈٹیکشن لیولز تک قابل بناتا ہے۔

LiNbO₃ Wafers کے اہم فوائد

1. بے مثال الیکٹرو آپٹک کارکردگی
غیر معمولی طور پر ہائی الیکٹرو آپٹک گتانک (r₃₃~30-32 pm/V): کمرشل لیتھیم نائوبیٹ ویفرز کے لیے صنعت کے معیار کی نمائندگی کرتا ہے، جو 200Gbps+ تیز رفتار آپٹیکل ماڈیولٹرز کو فعال کرتا ہے جو کہ سلکان پر مبنی یا پولیمر سلوشن کی کارکردگی کی حد سے کہیں زیادہ ہے۔

انتہائی کم اندراج نقصان (<0.1 dB/cm): نانوسکل پالشنگ (Ra<0.3 nm) اور اینٹی ریفلیکشن (AR) کوٹنگز کے ذریعے حاصل کیا گیا، آپٹیکل کمیونیکیشن ماڈیولز کی توانائی کی کارکردگی کو نمایاں طور پر بڑھاتا ہے۔

2. سپیریئر پیزو الیکٹرک اور ایکوسٹک پراپرٹیز
ہائی فریکوئنسی SAW/BAW ڈیوائسز کے لیے مثالی: 3500-3800 m/s کی صوتی رفتار کے ساتھ، یہ ویفرز 6G mmWave (24-100 GHz) فلٹر ڈیزائن کو سپورٹ کرتے ہیں جس میں اندراج کے نقصانات <1.0 dB ہیں۔

ہائی الیکٹرو مکینیکل کپلنگ کوفیشینٹ (K²~0.25%): RF فرنٹ اینڈ پرزوں میں بینڈوڈتھ اور سگنل سلیکٹیوٹی کو بڑھاتا ہے، انہیں 5G/6G بیس اسٹیشنز اور سیٹلائٹ کمیونیکیشن کے لیے موزوں بناتا ہے۔

3. براڈ بینڈ شفافیت اور نان لائنر آپٹیکل اثرات
الٹرا وائیڈ آپٹیکل ٹرانسمیشن ونڈو (350-5000 nm): UV سے وسط IR سپیکٹرا کا احاطہ کرتا ہے، ایپلی کیشنز کو فعال کرتا ہے جیسے:

کوانٹم آپٹکس: وقتاً فوقتاً پولڈ (PPLN) کنفیگریشنز الجھے ہوئے فوٹوون پیئر جنریشن میں >90% کارکردگی حاصل کرتی ہیں۔

لیزر سسٹمز: آپٹیکل پیرامیٹرک اوسلیشن (OPO) ٹیون ایبل ویو لینتھ آؤٹ پٹ (1-10 μm) فراہم کرتا ہے۔

غیر معمولی لیزر ڈیمیج تھریشولڈ (>1 GW/cm²): ہائی پاور لیزر ایپلی کیشنز کے لیے سخت تقاضوں کو پورا کرتا ہے۔

4. انتہائی ماحولیاتی استحکام
اعلی درجہ حرارت کی مزاحمت (کیوری پوائنٹ: 1140 ° C): -200 ° C سے +500 ° C کے درمیان مستحکم کارکردگی کو برقرار رکھتا ہے، ان کے لئے مثالی:

آٹوموٹو الیکٹرانکس (انجن کمپارٹمنٹ سینسر)

خلائی جہاز (گہری خلائی نظری اجزاء)

تابکاری کی سختی (>1 Mrad TID): MIL-STD-883 معیارات کے مطابق، جوہری اور دفاعی الیکٹرانکس کے لیے موزوں۔

5. حسب ضرورت اور انضمام کی لچک
کرسٹل واقفیت اور ڈوپنگ کی اصلاح:

X/Y/Z کٹ ویفرز (±0.3° درستگی)

MgO ڈوپنگ (5 mol%) آپٹیکل نقصان کے خلاف مزاحمت کے لیے

متضاد انٹیگریشن سپورٹ:

سلکان فوٹوونکس (SiPh) کے ساتھ ہائبرڈ انضمام کے لیے پتلی فلم LiNbO₃-on-Insulator (LNOI) کے ساتھ مطابقت رکھتا ہے۔

شریک پیکڈ آپٹکس (CPO) کے لیے ویفر لیول بانڈنگ کو قابل بناتا ہے۔

6. قابل توسیع پیداوار اور لاگت کی کارکردگی
6 انچ (150 ملی میٹر) ویفر بڑے پیمانے پر پیداوار: روایتی 4 انچ کے عمل کے مقابلے میں یونٹ کی لاگت کو 30 فیصد کم کرتا ہے۔

تیز ترسیل: معیاری مصنوعات 3 ہفتوں میں بھیجی جاتی ہیں۔ چھوٹے بیچ کے پروٹوٹائپس (کم از کم 5 ویفرز) 10 دنوں میں فراہم کرتے ہیں۔