6 انچ HPSI SiC سبسٹریٹ ویفر سلیکن کاربائیڈ سیمی انسلٹنگ SiC ویفرز

SiC سنگل کرسٹل کی ترقی کے موجودہ طریقوں میں بنیادی طور پر درج ذیل تین شامل ہیں: مائع مرحلے کا طریقہ، اعلی درجہ حرارت کیمیائی بخارات جمع کرنے کا طریقہ، اور فزیکل وانپ فیز ٹرانسپورٹ (PVT) طریقہ۔ ان میں سے، PVT طریقہ SiC سنگل کرسٹل گروتھ کے لیے سب سے زیادہ تحقیق شدہ اور بالغ ٹیکنالوجی ہے، اور اس کی تکنیکی مشکلات یہ ہیں:

(1) بند گریفائٹ چیمبر کے اوپر 2300 ° C کے اعلی درجہ حرارت میں SiC سنگل کرسٹل "ٹھوس - گیس - ٹھوس" تبادلوں کی دوبارہ تشکیل کے عمل کو مکمل کرنے کے لئے، ترقی کا چکر لمبا، کنٹرول کرنا مشکل، اور مائیکرو ٹیوبلز کا شکار ہے، انکلوزیشن اور دیگر نقائص.

(2) سلیکن کاربائیڈ سنگل کرسٹل، بشمول 200 سے زائد مختلف قسم کے کرسٹل، لیکن عام طور پر صرف ایک کرسٹل قسم کی پیداوار، ترقی کے عمل میں کرسٹل قسم کی تبدیلی پیدا کرنے میں آسان ہے جس کے نتیجے میں کثیر قسم کی شمولیت کے نقائص، ایک سنگل کی تیاری کا عمل۔ مخصوص کرسٹل قسم کے عمل کے استحکام کو کنٹرول کرنا مشکل ہے، مثال کے طور پر، 4H-قسم کے موجودہ مرکزی دھارے میں۔

(3) سلکان کاربائیڈ سنگل کرسٹل گروتھ تھرمل فیلڈ میں درجہ حرارت کا میلان ہوتا ہے، جس کے نتیجے میں کرسٹل کی نمو کے عمل میں مقامی اندرونی تناؤ ہوتا ہے اور اس کے نتیجے میں سندچیوتی، نقائص اور دیگر نقائص پیدا ہوتے ہیں۔

(4) سلیکن کاربائیڈ سنگل کرسٹل کی نمو کے عمل کو سختی سے بیرونی نجاست کے تعارف کو کنٹرول کرنے کی ضرورت ہے، تاکہ ایک بہت ہی اعلیٰ طہارت نیم موصل کرسٹل یا سمتی طور پر ڈوپڈ کوندکٹو کرسٹل حاصل کیا جا سکے۔ RF آلات میں استعمال ہونے والے سیمی انسولیٹنگ سلکان کاربائیڈ سبسٹریٹس کے لیے، کرسٹل میں بہت کم ناپاکی کے ارتکاز اور مخصوص قسم کے نقطہ نقائص کو کنٹرول کرکے برقی خصوصیات کو حاصل کرنے کی ضرورت ہے۔