2 انچ 6H-N سلکان کاربائیڈ سبسٹریٹ Sic Wafer ڈبل پالش کنڈکٹیو پرائم گریڈ Mos گریڈ

6H n-type Silicon Carbide (SiC) سنگل کرسٹل سبسٹریٹ ایک ضروری سیمی کنڈکٹر مواد ہے جو بڑے پیمانے پر ہائی پاور، ہائی فریکونسی، اور ہائی ٹمپریچر الیکٹرانک ایپلی کیشنز میں استعمال ہوتا ہے۔ اپنے ہیکساگونل کرسٹل ڈھانچے کے لیے مشہور، 6H-N SiC وسیع بینڈ گیپ اور اعلی تھرمل چالکتا پیش کرتا ہے، جو اسے مطلوبہ ماحول کے لیے مثالی بناتا ہے۔
اس مواد کی ہائی بریک ڈاؤن برقی فیلڈ اور الیکٹران کی نقل و حرکت موثر پاور الیکٹرانک آلات، جیسے MOSFETs اور IGBTs کی ترقی کو قابل بناتی ہے، جو روایتی سلیکون سے بنائے گئے زیادہ وولٹیج اور درجہ حرارت پر کام کر سکتے ہیں۔ اس کی بہترین تھرمل چالکتا گرمی کی موثر کھپت کو یقینی بناتی ہے، جو کہ اعلیٰ طاقت والے ایپلی کیشنز میں کارکردگی اور وشوسنییتا کو برقرار رکھنے کے لیے اہم ہے۔
ریڈیو فریکونسی (RF) ایپلی کیشنز میں، 6H-N SiC کی خصوصیات بہتر کارکردگی کے ساتھ اعلی تعدد پر کام کرنے کے قابل آلات کی تخلیق میں معاونت کرتی ہیں۔ اس کی کیمیائی استحکام اور تابکاری کے خلاف مزاحمت بھی اسے سخت ماحول، بشمول ایرو اسپیس اور دفاعی شعبوں میں استعمال کے لیے موزوں بناتی ہے۔
مزید برآں، 6H-N SiC سبسٹریٹس آپٹو الیکٹرانک آلات کے لیے لازمی ہیں، جیسے کہ الٹرا وائلٹ فوٹو ڈیٹیکٹر، جہاں ان کا وسیع بینڈ گیپ UV لائٹ کا موثر پتہ لگانے کی اجازت دیتا ہے۔ ان خصوصیات کا مجموعہ 6H n-type SiC کو جدید الیکٹرانک اور آپٹو الیکٹرانک ٹیکنالوجیز کو آگے بڑھانے میں ایک ورسٹائل اور ناگزیر مواد بناتا ہے۔