12 انچ ایس آئی سی سبسٹریٹ سلکان کاربائیڈ پرائم گریڈ قطر 300 ملی میٹر بڑا سائز 4H-N ہائی پاور ڈیوائس گرمی کی کھپت کے لیے موزوں ہے

مختصر تفصیل:

ایک 12 انچ کا سلکان کاربائیڈ سبسٹریٹ (SiC سبسٹریٹ) ایک بڑے سائز کا، اعلیٰ کارکردگی والا سیمی کنڈکٹر میٹریل سبسٹریٹ ہے جو سلیکن کاربائیڈ کے ایک کرسٹل سے بنایا گیا ہے۔ سلکان کاربائیڈ (SiC) ایک وسیع بینڈ گیپ سیمی کنڈکٹر مواد ہے جس میں بہترین برقی، تھرمل اور مکینیکل خصوصیات ہیں، جو بڑے پیمانے پر ہائی پاور، ہائی فریکوئنسی اور اعلی درجہ حرارت والے ماحول میں الیکٹرانک آلات کی تیاری میں استعمال ہوتی ہے۔ 12 انچ (300 ملی میٹر) سبسٹریٹ سلکان کاربائیڈ ٹیکنالوجی کی موجودہ جدید ترین تصریح ہے، جو پیداواری کارکردگی کو نمایاں طور پر بہتر بنا سکتی ہے اور لاگت کو کم کر سکتی ہے۔

ہمیں ای میل بھیجیں۔

خصوصیات

مصنوعات کی خصوصیات

1. ہائی تھرمل چالکتا: سلکان کاربائیڈ کی تھرمل چالکتا سلیکون سے 3 گنا زیادہ ہے، جو ہائی پاور ڈیوائس ہیٹ ڈسپیشن کے لیے موزوں ہے۔

2. ہائی بریک ڈاؤن فیلڈ کی طاقت: بریک ڈاؤن فیلڈ کی طاقت سلکان سے 10 گنا زیادہ ہے، جو ہائی پریشر ایپلی کیشنز کے لیے موزوں ہے۔

3. وسیع بینڈ گیپ: بینڈ گیپ 3.26eV (4H-SiC) ہے، جو اعلی درجہ حرارت اور اعلی تعدد ایپلی کیشنز کے لیے موزوں ہے۔

4. اعلی سختی: Mohs سختی 9.2 ہے، صرف ہیرے کے بعد، بہترین لباس مزاحمت اور میکانی طاقت.

5. کیمیائی استحکام: مضبوط سنکنرن مزاحمت، اعلی درجہ حرارت اور سخت ماحول میں مستحکم کارکردگی۔

6. بڑا سائز: 12 انچ (300 ملی میٹر) سبسٹریٹ، پیداوار کی کارکردگی کو بہتر بنائیں، یونٹ کی لاگت کو کم کریں۔

7. کم عیب کثافت: کم عیب کثافت اور اعلی مستقل مزاجی کو یقینی بنانے کے لیے اعلیٰ معیار کی واحد کرسٹل نمو ٹیکنالوجی۔

مصنوعات کی اہم درخواست کی سمت

1. پاور الیکٹرانکس:

Mosfets: الیکٹرک گاڑیوں، صنعتی موٹر ڈرائیوز اور پاور کنورٹرز میں استعمال ہوتا ہے۔

ڈائیوڈس: جیسے Schottky diodes (SBD)، جو موثر اصلاح اور سوئچنگ پاور سپلائی کے لیے استعمال ہوتے ہیں۔

2. Rf آلات:

Rf پاور ایمپلیفائر: 5G کمیونیکیشن بیس اسٹیشنز اور سیٹلائٹ کمیونیکیشنز میں استعمال ہوتا ہے۔

مائیکرو ویو ڈیوائسز: ریڈار اور وائرلیس کمیونیکیشن سسٹم کے لیے موزوں۔

3. نئی توانائی کی گاڑیاں:

الیکٹرک ڈرائیو سسٹم: الیکٹرک گاڑیوں کے لیے موٹر کنٹرولرز اور انورٹرز۔

چارجنگ پائل: تیز رفتار چارجنگ کے سامان کے لیے پاور ماڈیول۔

4. صنعتی ایپلی کیشنز:

ہائی وولٹیج انورٹر: صنعتی موٹر کنٹرول اور توانائی کے انتظام کے لیے۔

اسمارٹ گرڈ: HVDC ٹرانسمیشن اور پاور الیکٹرانکس ٹرانسفارمرز کے لیے۔

5. ایرو اسپیس:

اعلی درجہ حرارت الیکٹرانکس: ایرو اسپیس آلات کے اعلی درجہ حرارت کے ماحول کے لئے موزوں ہے۔

6. تحقیق کا میدان:

وسیع بینڈ گیپ سیمی کنڈکٹر ریسرچ: نئے سیمی کنڈکٹر مواد اور آلات کی ترقی کے لیے۔

12 انچ کا سلکان کاربائیڈ سبسٹریٹ ایک قسم کا اعلیٰ کارکردگی والا سیمی کنڈکٹر میٹریل سبسٹریٹ ہے جس میں بہترین خصوصیات ہیں جیسے ہائی تھرمل چالکتا، ہائی بریک ڈاؤن فیلڈ کی طاقت اور وسیع بینڈ گیپ۔ یہ پاور الیکٹرانکس، ریڈیو فریکوئنسی ڈیوائسز، نئی انرجی گاڑیوں، صنعتی کنٹرول اور ایرو اسپیس میں بڑے پیمانے پر استعمال ہوتا ہے، اور موثر اور اعلیٰ طاقت والے الیکٹرانک آلات کی اگلی نسل کی ترقی کو فروغ دینے کے لیے ایک اہم مواد ہے۔

جبکہ سلیکون کاربائیڈ سبسٹریٹس کے پاس فی الحال AR گلاسز جیسے کنزیومر الیکٹرانکس میں کم براہ راست ایپلی کیشنز موجود ہیں، لیکن ان کی موثر پاور مینجمنٹ اور چھوٹے الیکٹرانکس کی صلاحیت مستقبل کے AR/VR ڈیوائسز کے لیے ہلکے وزن، اعلیٰ کارکردگی والے پاور سپلائی سلوشنز کی حمایت کر سکتی ہے۔ اس وقت، سلکان کاربائیڈ سبسٹریٹ کی بنیادی ترقی صنعتی شعبوں میں مرکوز ہے جیسے نئی توانائی کی گاڑیاں، مواصلاتی انفراسٹرکچر اور صنعتی آٹومیشن، اور سیمی کنڈکٹر انڈسٹری کو زیادہ موثر اور قابل اعتماد سمت میں ترقی کرنے کے لیے فروغ دیتی ہے۔

XKH جامع تکنیکی مدد اور خدمات کے ساتھ اعلیٰ معیار کے 12 "SIC سبسٹریٹس فراہم کرنے کے لیے پرعزم ہے، بشمول:

1. اپنی مرضی کے مطابق پیداوار: کسٹمر کی ضروریات کے مطابق مختلف مزاحمیت، کرسٹل واقفیت اور سطح کے علاج کے ذیلی حصے فراہم کرنے کے لئے.

2. عمل کی اصلاح: صارفین کو مصنوعات کی کارکردگی کو بہتر بنانے کے لیے ایپیٹیکسیل گروتھ، ڈیوائس مینوفیکچرنگ اور دیگر پراسیس کی تکنیکی مدد فراہم کریں۔

3. جانچ اور سرٹیفیکیشن: اس بات کو یقینی بنانے کے لیے کہ سبسٹریٹ صنعت کے معیارات پر پورا اترتا ہے، سخت خرابی کا پتہ لگانے اور کوالٹی سرٹیفیکیشن فراہم کریں۔

4.R&d تعاون: تکنیکی جدت کو فروغ دینے کے لیے صارفین کے ساتھ مشترکہ طور پر نئے سلکان کاربائیڈ ڈیوائسز تیار کریں۔

ڈیٹا چارٹ

1 2 انچ سلکان کاربائیڈ (SiC) سبسٹریٹ کی تفصیلات
گریڈ		زیرو ایم پی ڈی پروڈکشن گریڈ (زیڈ گریڈ)	معیاری پیداوار گریڈ (P گریڈ)		ڈمی گریڈ (ڈی گریڈ)
قطر		3 0 0 ملی میٹر ~ 305 ملی میٹر
موٹائی	4H-N	750μm±15 μm	750μm±25 μm
	4H-SI	750μm±15 μm	750μm±25 μm
ویفر اورینٹیشن		آف محور: 4.0° کی طرف <1120 > ±0.5° 4H-N کے لیے، محور پر: <0001>±0.5° 4H-SI کے لیے
مائکرو پائپ کی کثافت	4H-N	≤0.4cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25cm-2
مزاحمتی صلاحیت	4H-N	0.015~0.024 Ω· سینٹی میٹر			0.015~0.028 Ω· سینٹی میٹر
	4H-SI	≥1E10 Ω· سینٹی میٹر			≥1E5 Ω· سینٹی میٹر
پرائمری فلیٹ اورینٹیشن		{10-10} ±5.0°
پرائمری فلیٹ کی لمبائی	4H-N	N/A
	4H-SI	نشان
کنارے کا اخراج		3 ملی میٹر
LTV/TTV/بو/وارپ		≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 μm			≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm
کھردرا پن		پولش Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.2 nm			Ra≤0.5 nm
ہائی انٹینسٹی لائٹ کے ذریعے ایج کریکس ہیکس پلیٹس بذریعہ ہائی انٹینسٹی لائٹ ہائی انٹینسٹی لائٹ کے ذریعے پولی ٹائپ ایریاز بصری کاربن شمولیت ہائی انٹینسٹی لائٹ کے ذریعے سلیکون کی سطح پر خروںچ		کوئی نہیں۔ مجموعی رقبہ ≤0.05% کوئی نہیں۔ مجموعی رقبہ ≤0.05% کوئی نہیں۔			مجموعی لمبائی ≤ 20 ملی میٹر، واحد لمبائی≤2 ملی میٹر مجموعی رقبہ ≤0.1% مجموعی رقبہ≤3% مجموعی رقبہ ≤3% مجموعی لمبائی≤1×ویفر قطر
ہائی انٹینسٹی لائٹ کے ذریعے ایج چپس		کسی کی بھی اجازت نہیں ≥0.2mm چوڑائی اور گہرائی			7 کی اجازت ہے، ≤1 ملی میٹر ہر ایک
(TSD) تھریڈنگ سکرو کی سندچیوتی		≤500 سینٹی میٹر-2		N/A
(BPD) بیس ہوائی جہاز کی نقل مکانی		≤1000 سینٹی میٹر-2		N/A
ہائی انٹینسٹی لائٹ کے ذریعے سلیکون سطح کی آلودگی		کوئی نہیں۔
پیکجنگ		ملٹی ویفر کیسٹ یا سنگل ویفر کنٹینر
نوٹس:
1 نقائص کی حدیں پوری ویفر سطح پر لاگو ہوتی ہیں سوائے کنارے کے اخراج کے علاقے کے۔ 2 خروںچوں کو صرف سی کے چہرے پر چیک کیا جانا چاہئے۔ 3 سندچیوتی ڈیٹا صرف KOH etched wafers سے ہے۔

XKH بڑے سائز، کم نقائص اور اعلی مستقل مزاجی میں 12 انچ کے سلکان کاربائیڈ سبسٹریٹس کی پیش رفت کو فروغ دینے کے لیے تحقیق اور ترقی میں سرمایہ کاری جاری رکھے گا، جبکہ XKH ابھرتے ہوئے علاقوں جیسے کہ کنزیومر الیکٹرانکس (جیسے AR/VR ڈیوائسز کے لیے پاور ماڈیولز) اور کوانٹم کمپیوٹنگ میں اپنی ایپلی کیشنز کو تلاش کرتا ہے۔ لاگت کو کم کرکے اور صلاحیت میں اضافہ کرکے، XKH سیمی کنڈکٹر انڈسٹری میں خوشحالی لائے گا۔